Siliziumkarbid und epitaktisches Graphen: Elektronische Eigenschaften

Siliziumkarbid (SiC) ist auf Grund seiner herausragenden physikalischen Eigenschaften als Halbleitermaterial für Hochleistungsbauelemente geeignet, die unter extremen Bedingungen (hohe elektrische Spannung, hohe elektrische Leistung, hohe Temperaturen, ...) arbeiten können. Graphen, also eine atomar dünne Schicht des Kohlenstoffmaterials Graphit, gehört als Metall ebenfalls zu den herausragenden robusten Materialien. Wir wachsen es auf der Oberfläche von Siliziumkarbid.
Wir untersuchen die neuartigen metallischen Eigenschaften von Graphen, die Halbleitereigenschaften von SiC (insbesondere der Einfluss von Defekten und Dotierstoffen) und des kombinierten Metall/Halbleitersystems. Für unsere Experimente stellen wir selbst maßgeschneiderte Bauelemente her. Wir nutzen die herausragenden Eigenschaften von SiC weiterhin für neuartige Funktionalitäten jenseits der Elektronik.
Dabei arbeiten wir erfolgreich mit verschiedenen regionalen und internationalen Forschungseinrichtungen, aber auch mit Industrieunternehmen zusammen.

Projekte

Beteiligte Wissenschaftler

• Heiko B. Weber
• Michael Krieger

Publikationen

• Hauck M., Lehmeyer J., Pobegen G., Weber HB., Krieger M.:
  An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
  In: Communications Physics 2 (2019), S. 5
  ISSN: 2399-3650
  DOI: 10.1038/s42005-018-0102-8
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• Shallcross S., Sharma S., Weber HB.:
  Anomalous Dirac point transport due to extended defects in bilayer graphene
  In: Nature Communications 8 (2017), S. 342
  ISSN: 2041-1723
  DOI: 10.1038/s41467-017-00397-8
  URL: https://www.nature.com/articles/s41467-017-00397-8
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• Kißlinger F., Ott C., Heide C., Kampert E., Butz B., Spiecker E., Shallcross S., Weber HB.:
  Linear magnetoresistance in mosaic-like bilayer graphene
  In: Nature Physics 11 (2015), S. 650-+
  ISSN: 1745-2473
  DOI: 10.1038/NPHYS3368
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• Butz B., Dolle C., Niekiel F., Weber K., Waldmann D., Weber HB., Meyer B., Spiecker E., Spiecker E.:
  Dislocations in bilayer graphene
  In: Nature 505 (2014), S. 533-537
  ISSN: 0028-0836
  DOI: 10.1038/nature12780
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• Hertel S., Waldmann D., Jobst J., Albert A., Albrecht M., Krieger M., Reshanov S., Schöner A., Weber HB.:
  Tailoring the graphene/silicon carbide interface for monolithic wafer-scale electronics
  In: Nature Communications 3 (2012), S. 957
  ISSN: 2041-1723
  DOI: 10.1038/ncomms1955
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